Silikon vaflinin termal oksid təbəqəsi, oksidləşdirici maddə ilə yüksək temperatur şəraitində silikon vaflinin çılpaq səthində əmələ gələn oksid təbəqəsi və ya silisium təbəqəsidir.Silikon gofretin termal oksid təbəqəsi adətən üfüqi boru sobasında yetişdirilir və böyümə temperaturu aralığı ümumiyyətlə 900 ° C ~ 1200 ° C-dir və "yaş oksidləşmə" və "quru oksidləşmə" iki böyümə rejimi var.Termal oksid təbəqəsi daha yüksək homojenliyə və daha yüksək dielektrik gücə malik olan "yetişmiş" oksid təbəqəsidir.Termal oksid təbəqəsi izolyator kimi əla dielektrik təbəqədir.Bir çox silikon əsaslı cihazlarda termal oksid təbəqəsi dopinq bloklayıcı təbəqə və səth dielektrik kimi mühüm rol oynayır.
Məsləhətlər: Oksidləşmə növü
1. Quru oksidləşmə
Silikon oksigenlə reaksiya verir və oksid təbəqəsi bazal təbəqəyə doğru hərəkət edir.Quru oksidləşməni 850 ilə 1200 ° C arasında bir temperaturda aparmaq lazımdır və böyümə sürəti aşağıdır, bu da MOS izolyasiya qapısının böyüməsi üçün istifadə edilə bilər.Yüksək keyfiyyətli, ultra nazik silikon oksid təbəqəsi tələb olunduqda, yaş oksidləşmədən quru oksidləşməyə üstünlük verilir.
Quru oksidləşmə qabiliyyəti: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. Yaş oksidləşmə
Bu üsul ~ 1000 ° C-də yanmaq üçün hidrogen və yüksək təmizlikli oksigen qarışığından istifadə edir və beləliklə, bir oksid təbəqəsi yaratmaq üçün su buxarı istehsal olunur.Yaş oksidləşmə quru oksidləşmə kimi yüksək keyfiyyətli oksidləşmə təbəqəsi meydana gətirə bilməsə də, izolyasiya zonası kimi istifadə oluna biləcək qədər, quru oksidləşmə ilə müqayisədə daha yüksək böyümə sürətinə malik olması açıq bir üstünlüyə malikdir.
Yaş oksidləşmə qabiliyyəti: 50nm ~ 15µm (500A ~15µm)
3. Quru üsul - yaş üsul - quru üsul
Bu üsulda oksidləşmə sobasına ilkin mərhələdə təmiz quru oksigen buraxılır, oksidləşmənin ortasında hidrogen əlavə edilir və oksidləşməni təmiz quru oksigenlə davam etdirmək üçün sonda hidrogen saxlanılır və daha sıx oksidləşmə strukturu əmələ gəlir. su buxarı şəklində ümumi yaş oksidləşmə prosesi.
4. TEOS oksidləşməsi
| Oksidləşmə texnikası | Yaş oksidləşmə və ya Quru oksidləşmə |
| Diametr | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Oksid qalınlığı | 100 Å ~ 15µm |
| Tolerantlıq | +/- 5% |
| Səthi | Tək tərəfli oksidləşmə (SSO) / İkitərəfli oksidləşmə (DSO) |
| Ocaq | Horizontal boru sobası |
| Qaz | Hidrogen və oksigen qazı |
| Temperatur | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Kırılma indeksi | 1.456 |
