Məhsul təsviri
Şirkətimiz təmin edirSiC örtüyüqrafit, keramika və digər materialların səthində CVD üsulu ilə emal xidmətləri, beləliklə, karbon və silisium olan xüsusi qazlar yüksək temperaturda reaksiya verərək yüksək təmizlikdə SiC molekullarını, örtülmüş materialların səthində çökən molekulları əmələ gətirir.SIC qoruyucu təbəqə.
Əsas xüsusiyyətləri:
1. Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti:
temperatur 1600 C qədər yüksək olduqda oksidləşmə müqaviməti hələ də çox yaxşıdır.
2. Yüksək təmizlik: yüksək temperaturda xlorlama şəraitində kimyəvi buxarın çökməsi ilə hazırlanmışdır.
3. Eroziya müqaviməti: yüksək sərtlik, kompakt səth, incə hissəciklər.
4. Korroziyaya davamlılıq: turşu, qələvi, duz və üzvi reagentlər.
CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri
| SiC-CVD Xüsusiyyətləri | ||
| Kristal strukturu | FCC β fazası | |
| Sıxlıq | q/sm³ | 3.21 |
| Sərtlik | Vickers sərtliyi | 2500 |
| Taxıl Ölçüsü | μm | 2~10 |
| Kimyəvi Saflıq | % | 99.99995 |
| İstilik tutumu | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimasiya temperaturu | ℃ | 2700 |
| Feleksual Gücü | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Gəncin Modulu | Gpa (4pt əyilmə, 1300℃) | 430 |
| Termal Genişlənmə (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| İstilikkeçirmə | (Vt/mK) | 300 |
-
Yüksək temperaturlu SiC örtüklü epitaksial reaktor B...
-
Epitaksial böyümə üçün SiC örtüklü qrafit barrel
-
LMJ microjet lazer texnologiyası avadanlığı
-
SiC örtüklü yarımkeçirici epitaksial reaktor...
-
Qrafit qızdırıcının isti zonası/qrafit isti sahəsi, ca...
-
Reaksiya sinterlənmiş Silikon karbid vafli qayıq