Təsvir
Şirkətimiz qrafit, keramika və digər materialların səthində CVD üsulu ilə SiC örtükləmə prosesi xidmətləri göstərir ki, tərkibində karbon və silisium olan xüsusi qazlar yüksək temperaturda reaksiya verərək yüksək təmizlikdə SiC molekulları, örtülmüş materialların səthində çökən molekullar, SIC qoruyucu təbəqəsini əmələ gətirir.
Əsas xüsusiyyətləri
1 .Yüksək saflıqda SiC örtüklü qrafit
2. Üstün istilik müqaviməti və istilik vahidliyi
3. Hamar səth üçün incə SiC kristalla örtülmüşdür
4. Kimyəvi təmizləməyə qarşı yüksək davamlılıq
CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri
| SiC-CVD Xüsusiyyətləri | ||
| Kristal strukturu | FCC β fazası | |
| Sıxlıq | q/sm³ | 3.21 |
| Sərtlik | Vickers sərtliyi | 2500 |
| Taxıl Ölçüsü | μm | 2~10 |
| Kimyəvi Saflıq | % | 99.99995 |
| İstilik tutumu | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimasiya temperaturu | ℃ | 2700 |
| Feleksual Gücü | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Gəncin Modulu | Gpa (4pt əyilmə, 1300℃) | 430 |
| Termal Genişlənmə (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| İstilikkeçirmə | (Vt/mK) | 300 |
