Şirkətimiz təmin edirSiC örtüyüqrafit, keramika və digər materialların səthində CVD üsulu ilə emal xidmətləri, beləliklə, karbon və silisium olan xüsusi qazlar yüksək temperaturda reaksiya verərək yüksək təmizlikli Sic molekullarını əldə edə bilsin və bu molekullar örtülmüş materialların səthində çökə bilər.SiC qoruyucu təbəqəepitaxy barrel tipli hipnotik üçün.
Əsas xüsusiyyətləri:
1 .Yüksək saflıqda SiC örtüklü qrafit
2. Üstün istilik müqaviməti və istilik vahidliyi
3. YaxşıSiC kristal örtüklühamar bir səth üçün
4. Kimyəvi təmizləməyə qarşı yüksək davamlılıq
Əsas XüsusiyyətləriCVD-SIC örtüyü
| SiC-CVD Xüsusiyyətləri | ||
| Kristal strukturu | FCC β fazası | |
| Sıxlıq | q/sm³ | 3.21 |
| Sərtlik | Vickers sərtliyi | 2500 |
| Taxıl Ölçüsü | μm | 2~10 |
| Kimyəvi Saflıq | % | 99.99995 |
| İstilik tutumu | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimasiya temperaturu | ℃ | 2700 |
| Feleksual Gücü | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Gəncin Modulu | Gpa (4pt əyilmə, 1300℃) | 430 |
| Termal Genişlənmə (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| İstilikkeçirmə | (Vt/mK) | 300 |
