Silikon karbid vaflixammal kimi yüksək saflıqda silikon tozundan və yüksək saflıqda karbon tozundan hazırlanır və silisium karbid kristalı fiziki buxar transfer üsulu ilə (PVT) yetişdirilir və emal olunur.silisium karbid gofret.
① Xammal sintezi.Yüksək saflıqda silisium tozu və yüksək saflıqda karbon tozu müəyyən nisbətdə qarışdırılmış və 2000 ℃-dən yuxarı yüksək temperaturda silisium karbid hissəcikləri sintez edilmişdir.Əzmə, təmizləmə və digər proseslərdən sonra kristal artım tələblərinə cavab verən yüksək saflıqda silisium karbid tozu xammalı hazırlanır.
② Kristal böyüməsi.Xammal kimi yüksək saflıqda SIC tozundan istifadə edərək, kristal özünü inkişaf etdirən kristal inkişaf sobasından istifadə edərək fiziki buxar transferi (PVT) üsulu ilə yetişdirildi.
③ külçə emalı.Alınan silisium karbid kristal külçəsi rentgen şüalarının monokristal orientatoru ilə istiqamətləndirilmiş, sonra üyüdülmüş və yuvarlanmış və standart diametrli silisium karbid kristalına işlənmişdir.
④ Kristal kəsmə.Çox xəttli kəsici avadanlıqdan istifadə edərək, silisium karbid kristalları qalınlığı 1 mm-dən çox olmayan nazik təbəqələrə kəsilir.
⑤ Çiplərin üyüdülməsi.Gofret müxtəlif hissəcik ölçülərinə malik almaz üyüdmə mayeləri ilə istənilən düzlük və pürüzlülüyə qədər üyüdülür.
⑥ Çip cilalanması.Səthi zədələnmədən cilalanmış silisium karbid mexaniki cilalama və kimyəvi mexaniki cilalama yolu ilə əldə edilmişdir.
⑦ Çip aşkarlanması.Mikrotubulun sıxlığını, kristal keyfiyyətini, səth pürüzlülüyünü, müqaviməti, əyilməni, əyriliyi, qalınlığın dəyişməsi, səthin cızılması və silisium karbid vaflisinin digər parametrləri.Buna əsasən, çipin keyfiyyət səviyyəsi müəyyən edilir.
⑧ Çiplərin təmizlənməsi.Silikon karbid cilalama vərəqi cilalama vərəqindəki qalıq cilalama mayesini və digər səth çirklərini təmizləmək üçün təmizləyici maddə və təmiz su ilə təmizlənir, sonra vafli üfürülür və ultra yüksək saflıqda azot və qurutma maşını ilə qurudulur;Vafli, istifadəyə hazır silikon karbid vafli yaratmaq üçün super təmiz kamerada təmiz vərəq qutusuna daxil edilmişdir.
Çip ölçüsü nə qədər böyükdürsə, müvafiq kristal artımı və emal texnologiyası bir o qədər çətinləşir və aşağı axın cihazlarının istehsal səmərəliliyi nə qədər yüksək olarsa, vahid dəyəri bir o qədər aşağı olur.
Göndərmə vaxtı: 24 noyabr 2023-cü il