Hal-hazırda SiC örtüyünün hazırlanma üsullarına əsasən gel-sol üsulu, yerləşdirmə üsulu, fırça ilə örtük üsulu, plazma çiləmə üsulu, kimyəvi qaz reaksiyası üsulu (CVR) və kimyəvi buxar çökmə üsulu (CVD) daxildir.
Yerləşdirmə üsulu:
Metod, əsasən Si tozu və C tozunun qarışığını yerləşdirmə tozu kimi istifadə edən bir növ yüksək temperaturlu bərk faza sinterləməsidir, qrafit matrisi yerləşdirmə tozuna yerləşdirilir və yüksək temperaturda sinterləmə inert qazda aparılır. , və nəhayət, qrafit matrisinin səthində SiC örtüyü əldə edilir.Proses sadədir və örtük və substrat arasında birləşmə yaxşıdır, lakin qalınlıq istiqamətində örtüyün vahidliyi zəifdir, bu da daha çox çuxur istehsal etmək asan və zəif oksidləşmə müqavimətinə səbəb olur.
Fırça ilə örtmə üsulu:
Fırça ilə örtmə üsulu əsasən qrafit matrisinin səthində maye xammalı fırçalamaq və sonra örtüyü hazırlamaq üçün xammalı müəyyən bir temperaturda müalicə etməkdir.Proses sadədir və maya dəyəri azdır, lakin fırça ilə örtmə üsulu ilə hazırlanan örtük substratla birlikdə zəifdir, örtüyün vahidliyi zəifdir, örtük nazikdir və oksidləşmə müqaviməti aşağıdır və digər üsullara kömək etmək lazımdır. o.
Plazma çiləmə üsulu:
Plazma ilə çiləmə üsulu əsasən ərinmiş və ya yarım ərinmiş xammalın plazma tabancası ilə qrafit matrisinin səthinə püskürtülməsi və sonra bərkidilməsi və örtük əmələ gətirilməsidir.Metod işləmək üçün sadədir və nisbətən sıx bir silisium karbid örtüyü hazırlaya bilər, lakin metodla hazırlanan silisium karbid örtüyü çox vaxt çox zəifdir və zəif oksidləşmə müqavimətinə səbəb olur, buna görə də ümumiyyətlə SiC kompozit örtüyünün hazırlanmasında istifadə olunur. örtüyün keyfiyyəti.
Gel-sol üsulu:
Gel-sol üsulu əsasən matrisin səthini örtən vahid və şəffaf sol məhlulunun hazırlanması, gel halına salınması və sonra örtük əldə edilməsi üçün sinterlənməsindən ibarətdir.Bu metodun istismarı sadədir və dəyəri azdır, lakin istehsal olunan örtükdə aşağı istilik zərbəsinə davamlılıq və asan çatlama kimi bəzi çatışmazlıqlar var, buna görə də geniş istifadə edilə bilməz.
Kimyəvi qaz reaksiyası (CVR):
CVR əsasən yüksək temperaturda SiO buxarı yaratmaq üçün Si və SiO2 tozundan istifadə edərək SiC örtüyü yaradır və C materialının substratının səthində bir sıra kimyəvi reaksiyalar baş verir.Bu üsulla hazırlanan SiC örtüyü substratla sıx birləşir, lakin reaksiya temperaturu daha yüksəkdir və dəyəri daha yüksəkdir.
Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD):
Hazırda CVD substrat səthində SiC örtüyünün hazırlanması üçün əsas texnologiyadır.Əsas proses qaz fazasının reaktiv materialının substratın səthində bir sıra fiziki və kimyəvi reaksiyalarıdır və nəhayət, substratın səthində çökmə yolu ilə SiC örtüyü hazırlanır.CVD texnologiyası ilə hazırlanmış SiC örtüyü substratın səthinə sıx şəkildə bağlanır, bu da substrat materialının oksidləşmə müqavimətini və ablativ müqavimətini effektiv şəkildə yaxşılaşdıra bilər, lakin bu metodun çökmə müddəti daha uzundur və reaksiya qazı müəyyən bir zəhərlidir. qaz.
Göndərmə vaxtı: 06 noyabr 2023-cü il