HİSSƏ/1
SiC və AIN monokristal sobasında pota, toxum tutucu və bələdçi halqa PVT üsulu ilə yetişdirilib.
Şəkil 2 [1]-də göstərildiyi kimi, SiC hazırlamaq üçün fiziki buxar nəqli üsulundan (PVT) istifadə edildikdə, toxum kristalı nisbətən aşağı temperatur bölgəsində, SiC xammalı nisbətən yüksək temperatur bölgəsində (2400-dən yuxarı) olur.℃) və xammal SiXCy (əsasən Si, SiC daxil olmaqla) hasil etmək üçün parçalanır₂, Si₂C və s.).Buxar fazasının materialı yüksək temperatur bölgəsindən aşağı temperatur bölgəsində toxum kristalına daşınır, ftoxum nüvələrinin formalaşması, böyüməsi və tək kristalların əmələ gəlməsi.Bu prosesdə istifadə olunan istilik sahəsi materialları, məsələn, pota, axın bələdçisi halqası, toxum kristal tutucusu yüksək temperatura davamlı olmalıdır və SiC xammalı və SiC monokristallarını çirkləndirməyəcəkdir.Eynilə, AlN monokristallarının böyüməsindəki qızdırıcı elementlər Al buxarına, N-ə davamlı olmalıdır.₂korroziyaya məruz qalır və yüksək evtektik temperatura malik olmalıdır (ilə AlN) kristal hazırlama müddətini qısaltmaq.
Məlum olmuşdur ki, SiC[2-5] və AlN[2-3] tərəfindən hazırlanmışdırTaC örtüklüqrafit istilik sahəsinin materialları daha təmiz idi, demək olar ki, heç bir karbon (oksigen, azot) və digər çirklər yox idi, daha az kənar qüsurlar, hər bölgədə daha kiçik müqavimət, mikroməsamələrin sıxlığı və aşındırma çuxurunun sıxlığı əhəmiyyətli dərəcədə azaldı (KOH ilə aşındırıldıqdan sonra) və kristal keyfiyyəti xeyli təkmilləşdirilmişdir.Əlavə olaraq,TaC potaarıqlama dərəcəsi demək olar ki, sıfırdır, görünüşü qeyri-dağıdıcıdır, təkrar emal edilə bilər (200 saata qədər həyat), belə monokristal preparatının davamlılığını və səmərəliliyini artıra bilər.
ŞEK.2. (a) PVT üsulu ilə SiC monokristal külçə yetişdirən cihazın sxematik diaqramı
(b) yuxarıTaC örtüklütoxum mötərizəsi (SiC toxumu daxil olmaqla)
(c)TAC ilə örtülmüş qrafit bələdçi üzük
HİSSƏ/2
MOCVD GaN epitaksial təbəqə böyüdən qızdırıcı
Şəkil 3 (a)-da göstərildiyi kimi, MOCVD GaN artımı buxar epitaksial böyüməsi ilə nazik təbəqələrin böyüməsi üçün orqanometrik parçalanma reaksiyasından istifadə edən kimyəvi buxar çökmə texnologiyasıdır.Boşluqdakı temperaturun dəqiqliyi və vahidliyi qızdırıcını MOCVD avadanlığının ən vacib əsas komponentinə çevirir.Substratın uzun müddət (təkrar soyutma altında) tez və bərabər şəkildə qızdırıla bilməyəcəyi, yüksək temperaturda dayanıqlığı (qaz korroziyasına qarşı müqavimət) və filmin təmizliyi birbaşa filmin çökmə keyfiyyətinə, qalınlığın konsistensiyasına, və çipin performansı.
MOCVD GaN böyümə sistemində qızdırıcının performansını və təkrar emal səmərəliliyini artırmaq üçün,TAC örtüklüqrafit qızdırıcısı uğurla təqdim edildi.Adi qızdırıcı ilə yetişdirilən GaN epitaksial təbəqəsi ilə müqayisədə (pBN örtüyündən istifadə etməklə), TaC qızdırıcısı ilə yetişdirilən GaN epitaksial təbəqəsi demək olar ki, eyni kristal quruluşa, qalınlığın vahidliyinə, daxili qüsurlara, çirkli əlavələrə və çirklənməyə malikdir.Bundan əlavə,TaC örtüyüaşağı müqavimətə və aşağı səth emissiyasına malikdir, bu da qızdırıcının səmərəliliyini və vahidliyini yaxşılaşdıra bilər, bununla da enerji istehlakını və istilik itkisini azaldır.Qızdırıcının radiasiya xüsusiyyətlərini daha da yaxşılaşdırmaq və xidmət müddətini uzatmaq üçün örtükün məsaməliliyi proses parametrlərinə nəzarət etməklə tənzimlənə bilər [5].Bu üstünlüklər yaradırTaC örtüklüqrafit qızdırıcıları MOCVD GaN artım sistemləri üçün əla seçimdir.
ŞEK.3. (a) GaN epitaksial böyüməsi üçün MOCVD cihazının sxematik diaqramı
(b) MOCVD qurğusunda quraşdırılmış qəliblənmiş TAC örtüklü qrafit qızdırıcısı, baza və mötərizə istisna olmaqla (isitmə zamanı əsas və mötərizəni göstərən təsvir)
(c) 17 GaN epitaksial böyümədən sonra TAC ilə örtülmüş qrafit qızdırıcısı.[6]
HİSSƏ/3
Epitaksiya üçün örtülmüş sensor (vafli daşıyıcı)
Gofret daşıyıcısı SiC, AlN, GaN və digər üçüncü sinif yarımkeçirici vaflilərin və epitaksial vafli böyüməsinin hazırlanması üçün mühüm struktur komponentdir.Gofret daşıyıcılarının əksəriyyəti qrafitdən hazırlanır və 1100-dən 1600-ə qədər epitaksial temperatur diapazonu ilə texnoloji qazların korroziyasına müqavimət göstərmək üçün SiC örtüyü ilə örtülmüşdür.°C və qoruyucu örtüyün korroziyaya davamlılığı vafli daşıyıcının həyatında həlledici rol oynayır.Nəticələr göstərir ki, TaC-nin korroziya sürəti yüksək temperaturlu ammonyakda SiC-dən 6 dəfə yavaşdır.Yüksək temperaturlu hidrogendə korroziya sürəti SiC-dən 10 dəfədən çox yavaşdır.
Təcrübələrlə sübut edilmişdir ki, TaC ilə örtülmüş qablar mavi işıq GaN MOCVD prosesində yaxşı uyğunluq göstərir və çirkləri daxil etmir.Məhdud proses tənzimləmələrindən sonra, TaC daşıyıcılarından istifadə edərək yetişdirilən ledlər adi SiC daşıyıcıları ilə eyni performans və vahidlik nümayiş etdirir.Buna görə də, TAC ilə örtülmüş paletlərin xidmət müddəti çılpaq daş mürəkkəbdən daha yaxşıdır vəSiC ilə örtülmüşdürqrafit altlıqlar.
Göndərmə vaxtı: 05 mart 2024-cü il