Semicera müxtəlif komponentlər və daşıyıcılar üçün xüsusi tantal karbid (TaC) örtükləri təqdim edir.Semicera aparıcı örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklərinə yüksək təmizlik, yüksək temperatur sabitliyi və yüksək kimyəvi tolerantlıq əldə etməyə imkan verir, SIC/GAN kristallarının və EPI təbəqələrinin məhsul keyfiyyətini yaxşılaşdırır (Qrafitlə örtülmüş TaC qəbuledicisi) və əsas reaktor komponentlərinin ömrünü uzatmaq. Tantal karbid TaC örtüyünün istifadəsi kənar problemi həll etmək və kristal böyüməsinin keyfiyyətini yaxşılaşdırmaqdır və Semicera beynəlxalq qabaqcıl səviyyəyə çatan tantal karbid örtük texnologiyasını (CVD) həll etdi.
İllik inkişafdan sonra Semicera texnologiyasını fəth etdiCVD TaCAr-Ge şöbəsinin birgə səyləri ilə. SiC vaflilərinin böyüməsi prosesində qüsurlar asanlıqla baş verir, lakin istifadə edildikdən sonraTaC, fərq əhəmiyyətlidir. Aşağıda TaC olan və olmayan vaflilərin, eləcə də tək kristal böyüməsi üçün Semicera hissələrinin müqayisəsi verilmişdir.
TaC ilə və olmadan
TaC istifadə etdikdən sonra (sağda)
Bundan əlavə, Semicera-nın TaC örtüklü məhsullarının xidmət müddəti SiC örtüyünə nisbətən daha uzun və yüksək temperatura daha davamlıdır. Uzun müddət laboratoriya ölçmə məlumatlarından sonra bizim TaC maksimum 2300 dərəcə Selsi temperaturunda uzun müddət işləyə bilər. Aşağıdakı nümunələrimizdən bəziləridir:
(a) PVT üsulu ilə SiC tək kristal külçə yetişdirən cihazın sxematik diaqramı (b) Üst TaC örtüklü toxum mötərizəsi (SiC toxumu daxil olmaqla) (c) TAC ilə örtülmüş qrafit bələdçi halqası
