Semicera müxtəlif komponentlər və daşıyıcılar üçün xüsusi tantal karbid (TaC) örtükləri təqdim edir.Semicera aparıcı örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklərinə yüksək təmizlik, yüksək temperatur sabitliyi və yüksək kimyəvi tolerantlıq əldə etməyə imkan verir, SIC/GAN kristallarının və EPI təbəqələrinin məhsul keyfiyyətini yaxşılaşdırır (Qrafitlə örtülmüş TaC qəbuledicisi) və əsas reaktor komponentlərinin ömrünü uzatmaq. Tantal karbid TaC örtüyünün istifadəsi kənar problemi həll etmək və kristal böyüməsinin keyfiyyətini yaxşılaşdırmaqdır və Semicera beynəlxalq qabaqcıl səviyyəyə çatan tantal karbid örtük texnologiyasını (CVD) həll etdi.
Silikon karbid (SiC) üçüncü nəsil yarımkeçiricilərdə əsas materialdır, lakin onun məhsuldarlıq dərəcəsi sənayenin inkişafı üçün məhdudlaşdırıcı amil olmuşdur. Semicera-nın laboratoriyalarında aparılan geniş sınaqdan sonra məlum olmuşdur ki, püskürtülmüş və sinterlənmiş TaC-nin lazımi saflıq və vahidlik yoxdur. Bunun əksinə olaraq, CVD prosesi 5 PPM təmizlik səviyyəsini və əla vahidliyi təmin edir. CVD TaC-nin istifadəsi silisium karbid vaflilərinin məhsuldarlığını əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdırır. Biz müzakirələri alqışlayırıqTaC örtüklü qrafit üç seqmentli üzüklər SiC vaflilərinin xərclərini daha da azaltmaq.
İllik inkişafdan sonra Semicera texnologiyasını fəth etdiCVD TaCAr-Ge şöbəsinin birgə səyləri ilə. SiC vaflilərinin böyüməsi prosesində qüsurlar asanlıqla baş verir, lakin istifadə edildikdən sonraTaC, fərq əhəmiyyətlidir. Aşağıda TaC olan və olmayan vaflilərin, eləcə də tək kristal artımı üçün Simicera hissələrinin müqayisəsi verilmişdir.
TaC ilə və olmadan
TaC istifadə etdikdən sonra (sağda)
Üstəlik, Semicera'sTaC ilə örtülmüş məhsullarilə müqayisədə daha uzun xidmət müddəti və daha yüksək temperatur müqaviməti nümayiş etdirirSiC örtükləri.Laboratoriya ölçmələri göstərdi ki, bizimTaC örtükləridavamlı olaraq 2300 dərəcə Selsiyə qədər olan temperaturda uzun müddət işləyə bilər. Aşağıda nümunələrimizdən bəzi nümunələr verilmişdir:
