-
Yarımkeçirici İstehsal Prosesi - Etch Texnologiyası
Vafli yarımkeçiriciyə çevirmək üçün yüzlərlə proses tələb olunur. Ən vacib proseslərdən biri aşındırmadır - yəni vafli üzərində incə dövrə naxışlarının oymasıdır. Aşınma prosesinin müvəffəqiyyəti müəyyən edilmiş paylama diapazonunda müxtəlif dəyişənlərin idarə edilməsindən asılıdır və hər bir aşındırma...Daha ətraflı oxuyun -
Plazma aşındırma avadanlığında fokus halqaları üçün ideal material: silisium karbid (SiC)
Plazma aşındırma avadanlıqlarında keramika komponentləri, o cümlədən fokus halqası mühüm rol oynayır. Vafli ətrafında yerləşdirilən və onunla birbaşa təmasda olan fokus halqası halqaya gərginlik tətbiq etməklə plazmanın vafli üzərinə fokuslanması üçün vacibdir. Bu, un...Daha ətraflı oxuyun -
Xəttin Sonu (FEOL): Təməl qoyulması
İstehsal xəttinin ön tərəfi bir evin təməlinin qoyulması və divarlarının qurulması kimidir. Yarımkeçiricilərin istehsalında bu mərhələ silikon vafli üzərində əsas strukturların və tranzistorların yaradılmasını nəzərdə tutur. FEOL-un əsas addımları: ...Daha ətraflı oxuyun -
Silikon karbid monokristal emalının vafli səthinin keyfiyyətinə təsiri
Yarımkeçirici güc qurğuları enerji elektron sistemlərində, xüsusən də süni intellekt, 5G rabitəsi və yeni enerji vasitələri kimi texnologiyaların sürətli inkişafı kontekstində əsas yer tutur, onlar üçün performans tələbləri ...Daha ətraflı oxuyun -
SiC artımı üçün əsas material: Tantal karbid örtüyü
Hazırda üçüncü nəsil yarımkeçiricilərdə silisium karbid üstünlük təşkil edir. Cihazlarının maya dəyəri strukturunda substrat 47%, epitaksiya isə 23% təşkil edir. İkisi birlikdə təxminən 70% təşkil edir ki, bu da silisium karbid cihazı istehsalının ən vacib hissəsidir...Daha ətraflı oxuyun -
Tantal karbid örtüklü məhsullar materialların korroziyaya davamlılığını necə artırır?
Tantal karbid örtüyü materialların korroziyaya davamlılığını əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdıra bilən çox istifadə edilən səthi təmizləmə texnologiyasıdır. Tantal karbid örtüyü müxtəlif hazırlıq üsulları ilə substratın səthinə yapışdırıla bilər, məsələn, kimyəvi buxar çökmə, fiziki...Daha ətraflı oxuyun -
Dünən Elm və Texnologiya İnnovasiyaları Şurası Huazhuo Precision Technology-nin IPO-nu dayandırdığını elan etdi!
Yenicə Çində ilk 8 düymlük SIC lazer tavlama avadanlığının çatdırılmasını elan etdi, bu da Tsinghua texnologiyasıdır; Materialları niyə özləri geri götürdülər? Bir neçə söz: Birincisi, məhsullar çox müxtəlifdir! İlk baxışdan onların nə işlə məşğul olduqlarını bilmirəm. Hazırda H...Daha ətraflı oxuyun -
CVD silisium karbid örtüyü-2
CVD silisium karbid örtüyü 1. Niyə silisium karbid örtüyü var Epitaksial təbəqə epitaksial proses vasitəsilə vafli əsasında yetişdirilən spesifik tək kristal nazik təbəqədir. Substrat vafli və epitaksial nazik film birlikdə epitaksial vafli adlanır. Onların arasında...Daha ətraflı oxuyun -
SIC örtüyünün hazırlanması prosesi
Hal-hazırda SiC örtüyünün hazırlanması üsullarına əsasən gel-sol üsulu, yerləşdirmə üsulu, fırça ilə örtülmə üsulu, plazma çiləmə üsulu, kimyəvi buxar reaksiyası üsulu (CVR) və kimyəvi buxar çökmə üsulu (CVD) daxildir. Yerləşdirmə metoduBu üsul bir növ yüksək temperaturlu bərk fazadır ...Daha ətraflı oxuyun -
CVD Silikon Karbid Kaplama-1
CVD nədir SiC Kimyəvi buxar çökmə (CVD) yüksək təmizlikdə bərk materialların istehsalı üçün istifadə edilən vakuum çökmə prosesidir. Bu proses tez-tez yarımkeçirici istehsal sahəsində vaflilərin səthində nazik filmlər yaratmaq üçün istifadə olunur. SiC-nin CVD ilə hazırlanması prosesində, substrat eksp...Daha ətraflı oxuyun -
SiC kristalında dislokasiya strukturunun rentgen topoloji təsvirinin köməyi ilə şüa izləmə simulyasiyası ilə təhlili
Tədqiqat məlumatı Silikon karbidin (SiC) tətbiqi əhəmiyyəti: Geniş diapazonlu yarımkeçirici material olaraq, silisium karbid əla elektrik xassələrinə görə (məsələn, daha böyük bant boşluğu, daha yüksək elektron doyma sürəti və istilik keçiriciliyi) diqqəti cəlb etmişdir. Bu dayaqlar...Daha ətraflı oxuyun -
SiC monokristal artımında toxum kristallarının hazırlanması prosesi 3
Böyümənin yoxlanılması Silikon karbid (SiC) toxum kristalları qeyd olunan prosesdən sonra hazırlanmış və SiC kristal artımı vasitəsilə təsdiq edilmişdir. İstifadə olunan böyümə platforması 2200 ℃ böyümə temperaturu, 200 Pa böyümə təzyiqi və böyümə sürəti ilə özünü inkişaf etdirən SiC induksiya böyümə sobası idi ...Daha ətraflı oxuyun