Günəş Vaflisi üçün uzun xidmət müddəti SiC örtüklü qrafit daşıyıcı

Uzun xidmət müddəti Günəş vaflisi üçün SiC örtüklü qrafit daşıyıcısı

Qısa təsvir:

Silikon karbid yüksək qiymət performansına və əla material xüsusiyyətlərinə malik yeni keramika növüdür. Yüksək möhkəmlik və sərtlik, yüksək temperatur müqaviməti, böyük istilik keçiriciliyi və kimyəvi korroziyaya davamlılıq kimi xüsusiyyətlərə görə, Silikon Karbid demək olar ki, bütün kimyəvi mühitlərə tab gətirə bilir. Buna görə də, SiC neft mədənində, kimyada, maşınqayırmada və hava məkanında geniş istifadə olunur, hətta nüvə enerjisi və ordunun SIC-ə xüsusi tələbləri var. Təklif edə biləcəyimiz bəzi normal tətbiqlər nasos, klapan və qoruyucu zireh və s. üçün möhürlü üzüklərdir.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Üstünlüklər

Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti
Əla Korroziyaya davamlılıq
Yaxşı aşınma müqaviməti
İstilik keçiriciliyinin yüksək əmsalı
Öz-özünə yağlama, aşağı sıxlıq
Yüksək sərtlik
Xüsusi dizayn.

Tətbiqlər

-Aşınmaya davamlı sahə: kol, boşqab, qumlama başlığı, siklon astar, üyüdmə bareli və s...
-Yüksək Temperatur Sahəsi: siC Plitəsi, Söndürmə Ocağının Borusu, Radiant Boru, pota, İstilik Elementi, Rolik, Şüa, İstilik dəyişdiricisi, Soyuq Hava Borusu, Yandırıcı Nozzle, Termocüt Mühafizə Borusu, SiC qayığı, Soba avtomobilinin Strukturu, Ayarlayıcı və s.
-Silicon Carbide Yarımkeçirici: SiC vafli qayıq, sic çubuq, sic avar, sic kaset, sic diffuziya borusu, vafli çəngəl, emiş lövhəsi, istiqamətləndirici yol və s.
-Silikon Karbid Mühür Sahəsi: hər növ sızdırmazlıq halqası, rulman, kol və s.
-Fotovoltaik Sahə: Konsol Paddle, Taşlama Barrel, Silikon Karbid Roller və s.
-Litium Batareya Sahəsi

WAFER (1)

WAFER (2)

SiC-nin fiziki xüsusiyyətləri

Əmlak	Dəyər	Metod
Sıxlıq	3,21 q/cc	Sink-float və ölçü
Xüsusi istilik	0,66 J/q °K	Pulsed lazer flaşı
Bükülmə gücü	450 MPa 560 MPa	4 nöqtə əyilmə, RT4 nöqtə əyilmə, 1300 °
Qırılma sərtliyi	2,94 MPa m1/2	Mikro girinti
Sərtlik	2800	Vicker's, 500 q yük
Elastik Modulu Gənc Modulu	450 GPa430 GPa	4 pt əyilmə, RT4 pt əyilmə, 1300 °C
Taxıl ölçüsü	2 - 10 µm	SEM

SiC-nin istilik xüsusiyyətləri

İstilik keçiriciliyi	250 Vt/m °K	Lazer flaş üsulu, RT
Termal Genişlənmə (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Otaq temperaturu 950 °C, silisium dilatometri

Texniki Parametrlər

Maddə	Vahid	Data
Maddə	Vahid	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC tərkibi	%	85	75	99	99.9	≥99
Pulsuz silikon tərkibi	%	15	0	0	0	0
Maksimum xidmət temperaturu	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Sıxlıq	q/sm³	3.02	2.75-2.85	3.08-3.16	2.65-2.75	2.75-2.85
Açıq gözeneklilik	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Bükülmə gücü 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Bükülmə gücü 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Elastiklik modulu 20 ℃	Gpa	330	580	420	240	/
Elastiklik modulu 1200 ℃	Gpa	300	/	/	200	/
İstilik keçiriciliyi 1200 ℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
İstilik genişlənmə əmsalı	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kq/m^m2	2115	/	2800	/	/

Yenidən kristallaşdırılmış silisium karbid keramika məhsullarının xarici səthindəki CVD silisium karbid örtüyü yarımkeçirici sənayesində müştərilərin ehtiyaclarını ödəmək üçün 99,9999% -dən çox təmizliyə çata bilər.