Antioksidləşməyə qarşı yüksək təmizlik SiC örtüklü MOCVD qabı

Qısa təsvir:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. vafli və qabaqcıl yarımkeçirici istehlak materialları üzrə ixtisaslaşmış aparıcı təchizatçıdır.Biz yarımkeçirici istehsalına yüksək keyfiyyətli, etibarlı və innovativ məhsullar təqdim etməyə sadiqik,fotovoltaik sənayevə digər əlaqəli sahələr.

Bizim məhsul xəttimizə silikon karbid, silisium nitridi, alüminium oksidi və s. kimi müxtəlif materialları əhatə edən SiC/TaC örtüklü qrafit məhsulları və keramika məhsulları daxildir.

Etibarlı təchizatçı kimi biz istehsal prosesində istehlak materiallarının əhəmiyyətini başa düşürük və müştərilərimizin ehtiyaclarını ödəmək üçün ən yüksək keyfiyyət standartlarına cavab verən məhsulların çatdırılmasına sadiqik.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Təsvir

Şirkətimiz təmin edirSiC örtüyüqrafit, keramika və digər materialların səthində CVD üsulu ilə emal xidmətləri, beləliklə, tərkibində karbon və silisium olan xüsusi qazlar yüksək temperaturda reaksiya verərək yüksək təmizlikdə SiC molekulları, örtülmüş materialların səthində çökən molekullarSiC qoruyucu təbəqə.

Əsas Xüsusiyyətlər

1. Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti:
temperatur 1600 C qədər yüksək olduqda oksidləşmə müqaviməti hələ də çox yaxşıdır.
2. Yüksək təmizlik: yüksək temperaturda xlorlama şəraitində kimyəvi buxarın çökməsi ilə hazırlanmışdır.
3. Eroziya müqaviməti: yüksək sərtlik, kompakt səth, incə hissəciklər.
4. Korroziyaya davamlılıq: turşu, qələvi, duz və üzvi reagentlər.

CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri

SiC-CVD Xüsusiyyətləri
Kristal strukturu	FCC β fazası
Sıxlıq	q/sm³	3.21
Sərtlik	Vickers sərtliyi	2500
Taxıl ölçüsü	μm	2~10
Kimyəvi Saflıq	%	99.99995
İstilik tutumu	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimasiya temperaturu	℃	2700
Feleksual Gücü	MPa (RT 4 bal)	415
Gəncin Modulu	Gpa (4pt əyilmə, 1300℃)	430
Termal Genişlənmə (CTE)	10-6K-1	4.5
İstilik keçiriciliyi	(Vt/mK)	300